3-5 Power Electronics GmbH

Entwicklung, Herstellung und Vertrieb von Leistungshalbleitern. 35PE hat ein Herstellungsverfahren für dicke GaAs Epitaxie-Schichten entwickelt, um in Phase 1 damit GaAs-Leistungshalbleitern-Dioden und in Phase 2 Transistoren und IGBT zu produzieren, welche die technisch-physikalischen Limitierungen von Silizium-Leistungshalbleiter leistungsmäßig um Faktoren verbessern. Mit der GaAs-Technologie lassen sich vergleichbare Ergebnisse wie mit SiC und GaN erzielen, aber zu deutlich niedrigen Bauteilkosten. Das Team besteht aus Experten mit langjähriger Halbleitererfahrung in der Technologieentwicklung sowie im Aufbau und Führung von Halbleiternunternehmen. Unser Fab-lite Business Model: 35PE fertigt selbst nur den Epitaxie Kernprozess alle Standard Wafer-Prozessierungsschritte werden fremd vergeben. Das Produktportfolio umfasst gesägte Wafer, diskrete Bauelemente und Module in Standardgehäusen. Unsere Technologie: Mit der einmaligen und umfassend patentierten GaAs-Technologie für hohe Spannungen zwischen 600V bis 1700V und Stromstärken bis zu 100A pro Chip können PIN-, Schottky-Dioden, Bi-polar Transistoren und auch IGBT mit deutlich höheren Frequenzen als Si-Bauteile hergestellt werden.